上证报中国证券网讯(记者李兴彩)6月23日上午,总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产,这是国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合生产线,也是国内LED芯片龙头三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。
资料显示,湖南三安半导体基地位于长沙高新产业园区内,规划用地面积约1000亩,规划月产3万片6英寸碳化硅晶圆。该项目于2020年7月破土动工,历时不到一年,一座从碳化硅晶体生长到功率器件封测的全产业链现代化生产基地即落成投产,充分体现了三安速度。
点亮仪式上,三安光电副董事长、总经理林科闯表示,湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节,将打造国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合生产线,可为客户提供高品质准时交付产品的同时,兼具大规模生产的成本优势。
湖南省委副书记、省长毛伟明对湖南三安半导体投产表示祝贺。他表示,湖南三安半导体的落户及投产,为长沙注入强“芯”剂,将进一步加快长沙集成电路和电子信息产业的聚集与发展。
据悉,湖南三安半导体基地全部建成达产后,预计可实现年销售额120亿元,年贡献税收17亿元,将有力促进第三代半导体行业加快发展,带动周边配套产业提供近万个就业机会。
记者了解到,第三代半导体材料具有优越的电气性能,可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频的新要求。湖南三安半导体具有碳化硅材料制备专利、大规模生产优势,产品可广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等领域,将大力推动宽禁带半导体器件的普及。
需要提及的是,三安光电致力于打造研发制造服务平台型公司,支持高新产业在湘开枝散叶。受益于电动车、光伏等第三代半导体电力电子器件市场规模快速增长,全球碳化硅衬底、器件厂商对碳化硅市场预期积极。湖南三安半导体打造全产业链生产线,有利于形成以长沙高新园区为中心的宽禁带半导体产业聚落,加速上游IC(集成电路)设计公司的设计与验证迭代,缩短下游终端产品上市周期,从而推动产业链繁荣发展。
三安光电表示,用材料创新推动技术变革,助力2060碳中和愿景达成,三安光电坚持将第三代半导体作为长期可持续发展战略的一部分,会持续加大投入加速产业布局,努力打造具有国际竞争力的半导体制造和服务平台。
(文章来源:中国证券网)
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