赛微电子：公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面具有技术储备

有投资者在投资者互动平台提问：你好公司有涉及碳化硅吗？

赛微电子(300456.SZ)4月5日在投资者互动平台表示，GaN和SiC都属于第三代半导体，在宽禁带和击穿电场方面都有相同的特性，都适合做功率电子应用，氮化镓具有高导通能力，氮化镓的异质结是碳化硅不具备的，因此，氮化镓相对碳化硅更具有速率和效率方面的优势；另一方面碳化硅起步较早，更加成熟，有一定的成本优势，良率、热导率也会更好些，因此在超高压大功率有更强的散热优势。简单来说，在功率系统里，大于10KW以上的汽车逆变器、轨道交通、发电等应用领域，碳化硅更有优势，在10KW以下的快充、智能家电、无线充电、服务器等应用领域，氮化镓有更多的优势。当然，以上属于我们公司的理解，不一定权威，还请投资者多方咨询确认。公司在碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)方面的技术储备与竞争力方面更为突出，材料技术与工艺制造能力都是为产品服务，具体取决于客户需求

（文章来源：每日经济新闻）

文章来源：每日经济新闻