SK海力士官宣238层NAND闪存芯片出世 拟于2023年上半年量产

世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示，已开发出其最先进的NAND闪存芯片，该芯片由238层存储单元组成，将用于个人电脑存储设备，以及智能手机和服务器。SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。此外，该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

据了解，英特尔(INTC.US)NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%，仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。值得一提的是，此前美国竞争对手美光科技(MU.US)在上周宣布，已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。