中金：2024年碳化硅有望迎大规模放量 国产替代空间广阔

中金发布研究报告称，近期，随着多款搭载800V平台的车型发布，以及头部材料厂商扩产计划超预期，碳化硅产业链迎来频繁催化。该行认为，需求端新能源车+光伏上量与供给端良率突破或于2024年迎来共振，碳化硅有望迎接大规模放量；国内厂商产能规划亦积极，提升了设备国产化需求，建议关注价值量占比较高的衬底+外延设备。考虑到国产设备将率先应用于国内市场与设备前置投资，该行测算明年国内衬底+外延设备空间将增至90亿元。若后续技术趋于成熟、考虑设备出口，市场空间或还将更为广阔。

中金公司主要观点如下：

行业概况：需求侧受益新能车800V平台，供给侧仍受良率制约，优质产能仍有缺口。

全球新能源车销量和光伏装机数量持续提升，随着碳化硅在新能车逆变器、充电桩和光伏逆变器的加速渗透，碳化硅衬底需求高速增长；但目前低良率仍是制约各厂商大规模扩产的难点，该行认为有效产能较实际需求仍有较大缺口。我们测算到2027年全球碳化硅衬底市场空间为250亿元，5年CAGR为43%。

衬底和外延设备：价值量占比较高，国产替代空间广阔。

衬底和外延生产在产业链价值量超70%，因此对应设备空间亦较大。目前，长晶设备国产化率较高，切磨抛设备仍以进口为主，外延设备也已有国产化替代方案。考虑到国产设备短期内较海外设备暂无较强竞争力，或将率先应用于国内市场，该行测算未来3年中国衬底+外延设备厂商年均市场空间为85~90亿元。

制造和封装设备：价值量占比较低且与硅基器件大体类似，关注重点设备。

在器件制造环节，碳化硅制程要求低于硅基，仅需部分新增特定设备和升级工艺；在器件封装环节，亦大多沿用硅基器件封装技术。但是，部分关键设备市场仍呈现“小而美”特征、具备投资价值，如高温离子注入设备是制约产能的关键、新技术纳米银烧结设备国产化率不足1%等。

风险提示：衬底良率提升不及预期；下游需求不及预期；国内企业技术迭代速度不及预期。