融资丨薄膜铌酸锂调制器芯片设计研发商「铌奥光电」完成数亿元A轮融资

助力铌奥光电加速薄膜铌酸锂光电子芯片产线的建设和量产进程

创业邦获悉，薄膜铌酸锂调制器芯片设计研发商铌奥光电完成数亿元A轮融资，本轮融资由基石资本领投，毅达资本、合创资本跟投，现有投资方立达资本、晨峰晖创资本、南京市创投继续追加投资。

本次融资将助力铌奥光电加速薄膜铌酸锂光电子芯片产线的建设和量产进程，于2023年建成国内首条规模量产的薄膜铌酸锂光电子芯片产线。

江苏铌奥光电科技有限公司成立于2020年7月，核心团队成员包括多名海归科研工作者和业界资深专家，团队在薄膜铌酸锂调制器芯片领域拥有全球领先的研究成果和多年芯片制造运营的成熟经验。铌奥光电专注于从事薄膜铌酸锂调制器芯片及器件的研发、设计、制造等，致力于成为高速调制器光电子芯片领域的领军企业。

铌酸锂被誉为 “光学硅”，可以制备集成光子回路中的光波导、光开关、分/合束器、压电调制器、热电调制器与电光调制器等器件，其中铌酸锂调制器是光子集成回路和现代通信的核心器件，已成为当前电光调制器市场的主流产品。但是受限于铌酸锂晶体材料尺度问题，传统铌酸锂基电光调制器的带宽、半波电压、插入损耗等关键性能参数的提升逐渐遭遇瓶颈，且与CMOS工艺不兼容。相较于铌酸锂晶体（尺寸受限），以及其他光电子材料如磷化铟、硅光，薄膜铌酸锂可实现超快电光效应和高集成度光波导，具有大带宽、低功耗、低损耗、小尺寸等优异特性，并可实现大尺寸晶圆规模制造，是非常理想的电光调制器材料。

铌奥光电开发的薄膜铌酸锂调制器芯片目前已可实现超低驱动电压（Vπ<1V）和超大带宽（最新记录260Gbaud），功耗较硅光调制器等解决方案显著降低，在800G及以上速率的模块应用中具有显著优势，单波200G以上的传输能力使得Pluggable1.6T（单波200G）/3.2T（单波400G）光模块成为可能。

截至目前，铌奥光电的产品已涵盖光通信、微波光子和光学传感三大业务领域，并形成了数据中心、电信中长距、相干等产品方向的解决方案，当前均已进入客户送样测试及小批量销售阶段。其中，数据中心芯片包括800G/1.6T系列，传输距离覆盖500M/2KM/10KM；电信中长距芯片及器件包括50G/100G/400G系列，传输距离覆盖10KM/30KM/40KM；相干芯片包括64G/96G/128G Baud 系列，可深度定制。

铌奥光电的商业模式为独立完成从芯片设计、流片制造及封测到器件设计及封装制造的全产业链IDM模式。公司已建成高度自动化的光器件研发及制造平台，标准有源对准精度为50nm，支持COB，BOX，Optical Engine, Light BOX等多种封装工艺路线；同时在建薄膜铌酸锂光电子芯片研发及制造平台，将于2023年建成 “晶圆进、芯片出”的完整6英寸薄膜铌酸锂光电子芯片产线。

附

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