逆周期是强者的机会、弱者的地狱。
编者按：本文来自微信公众号 最话 FunTalk（ID：iFuntalker），作者：何伊然，编辑：刘宇翔，创业邦经授权转载。
三星的寒冬何时才能过去？
当地时间7月7日，三星电子公布了2023年第二季度财报。本季度，三星电子销售额为60万亿韩元，同比下降22.3%；营业利润6000亿韩元，同比下降95.7%。
2023年一季度，三星营业利润为6402亿韩元，是2009年一季度以来最低季度利润，而二季度利润额再次创新最低值。
2022年，“宅家经济”带来的消费电子红利彻底退热，市场销量下滑，各家公司消费电子产品库存积压极其严重。
根据IDC公布的数据，2022年全年全球智能手机出货量12.1亿台，这是2013年以来的最低点。虽然三星以2.609亿台出货量和21.6%的市场份额继续稳坐市占率的第一名，但从绝对数据来看也很难让人满意。
不仅如此，根据韩媒报道，因为经济放缓等因素影响，2023年消费者对中低价位智能手机的需求仍处在疲软期，换机周期拉长，智能机销量继续萎缩。三星 2023 年智能手机出货量预估已下降至 2.5 亿台，低于此前设定的 2.7 亿台目标。
消费类市场萎缩进而导致对芯片需求衰退，上游芯片产业自然也受到了冲击。作为少数涵盖了产业上下游的巨头，三星半导体业务更是受到全方位冲击。
据韩国媒体报道，三星本季度盈利缩水和公司芯片项目所在的数字解决方案（DS）部门出现严重亏损有关。DS部门此前一直是三星的“利润奶牛”，本季度亏损额度可能在3万亿到4万亿韩元之间。
不过，三星本季度利润降幅略小于此前预期，似乎已经看到了回暖的曙光，并且，三星似乎并不惧下滑，因为半导体是个周期行业，逆周期反而才是强者的机会、弱者的地狱。
TrendForce报告指出，由于全球市场的芯片买家纷纷暂缓下单，加快消耗已有库存，本季度芯片价格下降了约13%至18%。
存储芯片主要分为NAND Flash 和DRAM，合计占比超过九成，其中NAND市场被三星、铠侠、美光等六家厂商瓜分，合计市场占有率在95%左右。DRAM市场集中度则更高，出货量前三家企业三星、SK海力士、美光市场份额总和为95.9%。无论是NAND Flash还是DRAM，三星都是最大供应商。
所以价格下跌，这几家大厂备受影响，但同时存储芯片是个寡头垄断市场，为让市场供需恢复到平衡状态，三星电子和其他存储芯片制造商都在削减供应。
7月，三星电子将DRAM存储器月产量削减至62万片晶圆，同比减少12%，创下公司2021年第三季度以来产量的新低。据内部消息披露，三星电子减产计划或将持续至明年。
分析师预计，在供需两端的调整下，芯片价格将在今年第三季度达到最低点，有望在2024年实现显著复苏。高盛更是乐观地认为，三星芯片业务在今年第四季度就可以扭亏为盈。
“我们认为半导体业务业绩已经在2023年第一季度见底。”包括高盛在内的多家投资机构，都对芯片市场下半年前景给出了积极预期。
不止高盛，国际半导体产业协会（SEMI）也预测，由于相关市场疲软，内存DRAM设备销售额预计今年将同比下降28%至88亿美元，但预计明年将反弹31%达到116亿美元；NAND设备销售额今年将同比下降51%至84亿美元，但预计明年将反弹59%至133亿美元。
投行和协会之所以看到，一个很重要原因是虽然消费电子市场不振，但大模型的崛起，使得DRAM有了新市场需求。
近年来，DRAM从2D向3D技术发展，涌现出HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）这种高端产品。HBM是将多个DDR芯片堆叠后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列，通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。
从去年ChatGPT出现以来，HBM已经成为AI服务器芯片的“标配”，以Nvidia 的 H100为例，它中间是H100 GPU ASIC，周围是6个内存堆栈HBM。
在DRAM的整体颓势之中，HBM却在逆势增长。2021年时，HBM需求占整体DRAM市场只有不到1%，而TrendForce预估，2023年AI服务器出货量近120万台，到2026年AI服务器出货量年复合成长率达22%，带动HBM需求量在2023-2025年年复合增长率有望增长至40%-45%以上。
除了AI服务器，汽车也将是HBM值得关注的应用领域。随着智能汽车中的摄像头、传感器、娱乐设施数量越来越多，数据速率和处理所有信息的速度都在急速增长，HBM具有很大的带宽优势，虽然最新的HBM3目前还没有取得汽车认证，且成本较高，但业界普遍认为HBM绝对会进入汽车应用领域。
据媒体报道，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，HBM3价格上涨5倍。SK海力士是最早生产HBM的，现在拥有超过50%的市场份额，并独家占有了9成的HBM3市场份额。而占有40%市场份额三星正在奋勇直追，预计将在今年下半年发货HBM3，此前三星展示了12层HBM以及未来的HBM-4。
此外，SSD与嵌入式存储为NANDFlash模组的主要形式，根据Yole数据，预计22-28年SSD市场总规模将从290亿美金增至670亿美元。
旺盛的未来需求，使得存储芯片大厂们并不惧怕眼前的下滑，并且都在加快投资，试图打垮竞争对手。
历史上，存储芯片市场分别在1980年、1990年和2007年面临行业性下行周期。每一次，三星都选择了逆周期战略，在低谷期加大研发力度让市场需求上升期可以压成本，成功在下一个行业上升期取得技术和市场方面的领先。
尤其是市场供需关系发生变化，更是需要半导体厂商在技术创新、规模化上更激进。
2022年，在多数科技企业大刀阔斧裁员，压缩人力成本的时刻，三星选择稳住规模。三星电子7月4日发表的经营报告显示，2022年，三星电子全球员工数量约为27万，全年人工成本达37.6万亿韩元。与2021年相比，人工成本还增加了3万亿韩元，占到了2022年全年营业利润的79.7%。
近日，三星电子芯片业务部门出现了明显的高管人事变动。
此番调整聚焦晶圆代工业务部门和存储业务部门：晶圆代工业务开发主管Gitae Jeong升为首席技术官，Jahun Koo接任开发主管；存储业务部门战略营销主管HwangSang-jun被任命为DRAM开发主管，Oh Tae-young被任命为设计主管，Yun Ha-ryong被任命为战略营销主管。
按经验来说，三星多是在年底进行人事调整。
外媒认为，提前变动彰显出三星面对充满机遇的市场，想采取更为积极进取的进攻姿态，不破不立的气势来应对挑战。
Trend Force数据显示，今年一季度三星电子全球晶圆代工销售额环比减少36.1%，市场份额更是从2022年四季度的15.8%降至12.4%。相反，台积电销售额虽然也环比下降，市场份额却由上季度58.5%升至60.1%，双方市占率差距进一步拉大。
其中，三星最眼馋的是英伟达的AI芯片订单。目前，英伟达占据了人工智能 GPU 市场 90% 以上的份额，英伟达旗舰芯片 A100 和 H100 GPU 由台积电独家供应。由于市场需求过于火爆，高端计算类芯片价格下探的空间已经不大，台积电还在6月决定扩大产能。
台积电是全球芯片代工大户，其秘籍是CoWoS封装技术。
2012年，台积电首次引入该技术，在芯片封装过程中将芯片以3D方式进行立体堆叠，缩短它们之间的距离，从而使芯片之间的连接速度更快，该封装方式可带来高达 50% 甚至更多的巨大性能提升。
如今，英伟达、苹果和 AMD 的旗舰产品都离不开台积电的先进封装技术。
三星显然并不满足于做元件供应商，从存储器到代工到封装，三星有更大的规划，它的竞争对手并不仅仅只是SK海力士、美光等存储芯片厂商。
2022年12月，三星在半导体业务部门内成立了先进封装（AVP）业务团队，为客户提供一站式服务，团队将直接量身定制先进封装技术和解决方案，并将其商业化。
据报道，三星宣布开发出可搭载8颗高带宽存储器（HBM）的封装技术I-Cube 8，并计划2023年内完成效能测试，并2024年投入量产。三星称，未来在封装中整合逻辑IC、存储器的数量多少将成为半导体技术的竞争力。
三星还在持续开发3D堆叠技术X-Cube。目前，第一代X-Cube技术已适用于HBM，第二代X-Cube也在准备进入量产。有业内人士表示：“三星和台积电在封装上很快就会发生正面冲突。”
2022年，三星电子投资250亿美元在美国德克萨斯州建造芯片工厂。据美媒报道，三星甚至考虑未来二十年在美国建立11家芯片工厂，投资总额接近2000亿美元。
6月，三星电子在美国加州圣何塞举行的三星代工论坛（SFF）公布了2nm制程芯片量产的详细计划。根据计划，三星电子分别将于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。
三星表示，与3nm工艺相比，2nm芯片的性能提高了12%，功率效率提高了25%，面积减少了5%，三星还计划于2027年开始量产1.4nm芯片。
台积电、三星的咄咄逼人，也使得其他竞争对手不得不加大投入，老牌芯片巨头英特尔宣布会在24年第一季度将把晶圆代工事业(IFS)制造部门从产品事业独立出来运作。由日本八家大企业支持成立并获政府注资的半导体公司 Rapidus则宣称要复苏日本芯片业的荣光。
在历史上，三星、台积电等大玩家都是在市场行情不好的情况下，加大研发、产能投资，通过技术、规模化挤垮竞争对手，收割市场份额，并在占据市场大份额后，时不时提价收割利润。
这招逆周期扩张的策略，如今又重出江湖。
而这次，三星们要面对新的挑战者，那就是中国厂商。
2023年，三星中国上任了一位新总裁，此前负责半导体在华销售业务的杨杰。
近些年，对多数中国消费者而言，三星的存在感是越来越低。在华手机销量暴跌，在华工厂相继关闭，在媒体上几乎都是以反面案例出现的。
但杨杰并不是这么看待的。销售出身的杨杰面对媒体十分健谈，他强调三星在中国市场是“进入、融入、升级”，随着中国产业升级转型，三星在华投资布局也“同频共振”，向产业链高端迈进。“未来是无限美好的。新一轮科技革命和产业革命正在加速推进，大数据、人工智能、新能源汽车等新兴产业将蓬勃发展。”
因为虽然移动终端打不过中国厂商，但在元件领域，三星依然有强悍的竞争力。目前，三星在中国共有8个研发中心，涵盖通信、人工智能、半导体、新能源电池等领域。其中最引人瞩目的当属，2013年4月10日三星电子落户在西安高新区的半导体工厂。落户西安十年来，随着产能不断释放，到2022年三星半导体西安工厂产值突破了1000亿元人民币，成为中国存储芯片的供应大户，二期工程在建设中。
目前中国存储需求占全球30%左右，是世界上最大的芯片市场，在市场需求、自主可控要求的推动下，国产厂商与设备商迎来大爆发，共同推动国产化进程加速。其中长江存储、长鑫存储是中国大陆存储芯片两大领头企业。长江存储主营NAND业务的，成立于2016年，前身为成立于2006年的武汉新芯；长鑫存储同样成立于2016年，是目前惟一实现量产的国产DRAM厂商。
2022年中国长存、长鑫的二期工程开始投产，二期工程的产能相当于一期工程的两倍。在技术方面，国产存储芯片已量产232层NAND flash和19纳米的DRAM内存，技术的大幅提升帮助中国存储芯片厂商大举降低了成本和提高竞争力，而资本市场的看好，也让国产厂商有了扩大产能的底气。
截止目前，长江存储NAND产能约占全球的6%，长鑫存储约占全球DRAM产能的 3%。市场普遍认为，从技术上，长存与三星、SK海力士等国际大厂相差顶多一代；长鑫主攻的DRAM领域，知识壁垒更高，距离全球先进水平有两三代的差距。从市场了解到，长鑫要完成16纳米技术，至少需要两年时间。
并且，即使解决了技术难题，到了量产还将遭遇巨大难题，那就是2022年10月美国出台的139页出口管制新规，该新规正设备、材料对中国厂商采取了诸多限制，导致长存、长鑫的二厂工程被迫暂停。
于是，两家公司只有加大国产设备的测试、调试力度，准备在更多工序上实现设备、原料、工艺的国产替代，目前在刻蚀、湿法、封装等工艺和设备上，国产厂商已经有明显进展。
在诸多博弈之下，长鑫的设备采购也有所转机，有媒体报道，部分新设备可能会在2023年三季度陆续到货。
增加存储芯片的国产化率是大势所趋，在市场需求方面，目前国内很多终端厂商都在积极支持长存，适配长存产品；长鑫的挑战要大些，毕竟行业的中高端产品基本做到DDR5。
但长存、长鑫的崛起还是打破了寡头垄断，深远地影响了市场，掀起了NAND Flash 和DRAM的价格战，目前在SSD市场，因国产厂商发起的价格战，使得有些7000M/S的高速PCIe4.0的SSD，被国产打到只要400块。并且海外巨头不敢再以洪水、停电等原因为由轻易提价。
曾经存储芯片市场被韩国厂商所把持，是韩国的出口大宗，但眼下竞争者的追赶和需求下滑，使得韩国芯片出口大幅下滑，甚至出现贸易逆差。
三星当然不敢掉以轻心，因为当年韩国半导体厂商跟日本厂商同样存在技术、产能差距，但在韩国政府支持下，三星、SK、海力士等企业不计成本的投入和扩张，大打价格战，最终击垮了日本厂商，占据了NAND Flash 和DRAM市场。
眼下中国厂商正在复制同一个策略，并且自身市场规模更大、资金背景更为雄厚。
所以三星不仅想抓住中国市场在大数据、人工智能、新能源汽车等行业发展带来的芯片需求机会，也想达成在更长远未来的平衡，避免它的日本前竞争对手那样的命运，即使这种命运可能性在眼下并没有那么高。
无论三星还是SK海力士都重视中国市场，面对美国的出口管制新规，在三星和SK海力士强烈反对下，美国对韩国企业实行了为期一年的出口管制方面的豁免，一直到今年10月。台积电也被列入豁免名单。
有熟悉韩国厂商的人士跟我们说，“两头下注，才不会一输到底。”
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