追赶台积电，三星计划投资 170 亿美元在美国建 3nm 晶圆厂

近日，据《华尔街日报》报道，根据相关文件和知情人士透露，韩国三星电子正在考虑投资高达 170 亿美元在亚利桑那州、德萨斯州或纽约州建立一家芯片制造工厂。这意味着三星和台积电正进一步扩大在先进制程上的竞争。

目前三星正在生产 5nm EUV 芯片，这家韩国芯片巨头一贯希望加强其先进制造工艺，增强同台积电的竞争力。此前有报道称，三星为在更短的时间内追赶上台积电，直接跳过了 4nm 工艺节点，从 5nm 跃升至 3nm。但是，要实现这一计划，需要进行一些巨额投资。

事实证明，三星已经注意到这一点，正在考虑斥资 170 亿美元在美国建设晶圆厂。据知情人士透露，三星正在凤凰城及其周边寻找两个合适的地点，另有一个大型工业园区位于纽约西部的根西县。

这座价值 170 亿美元的 3nm 芯片制造工厂的位置很特别，就在这座城市，三星放弃了其定制核心的内部研发，而这似乎也是三星希望在芯片业务上与台积电展开较量的地方，不过不幸的是，三星可能已经落后于其最大的竞争对手，因为上周台积电在财报会上宣布将在投资大约 200 亿美元用于 3nm、5nm、7nm 等先进制程的研发。

此前有报道称，苹果公司已经向台积电预定了 iPhone、iPad 和 Mac 的 3nm 芯片订单，因此三星在开发 3nm 芯片之前就已经失去了一个大客户。不过三星仍然可以安抚其他的客户，例如高通和联发科。此前有消息称，三星和高通已经达成 8.5 亿美元的交易，以处理骁龙 888 和骁龙 X60 5G 调制解调器的芯片制造。

此前三星计划在 2030 年之前投资 1150 亿美元在芯片研发领域取得领先地位，因此此次计划在美国修建晶圆厂很可能是处于这一大计划的初步阶段。