SK 海力士将投资 1060 亿美元在韩国建设芯片工厂,第四季度动工

观点
2021
04/02
16:37
亚设网
分享

IT之家4月2日消息 据韩国媒体消息,芯片制造商 SK 海力士新建工厂的规划今日得到韩国政府批准,该工厂总投资额将达到 1060 亿美元,地点位于首尔南部约 50 公里的位置。

SK 海力士将投资 1060 亿美元在韩国建设芯片工厂,第四季度动工

消息表示,SK 海力士此工厂总面积额将达到 415 万平方米,计划主要生产 DRAM 芯片,定于 2021 年第四季度开工,2025 年建成投产。这一大型工厂将包含四个晶圆加工厂,每个月产量为 80 万片。

SK 海力士将投资 1060 亿美元在韩国建设芯片工厂,第四季度动工

IT之家此前报道,SK 海力士近日表示,将在未来 10 年内开发 10nm 以下制程工艺的 DRAM 芯片,以及 600 层堆叠的 NAND 闪存。截至目前,该公司已经成功研发出 176 层堆叠的 3D NAND。新技术将引入新的电介质材料来保持均匀电荷,从而保持可靠性,减少漏电。

相关阅读:

SK 海力士预测存储未来:3D NAND 600 层以上,DRAM 10nm 以下

THE END
免责声明:本文系转载,版权归原作者所有;旨在传递信息,不代表亚设网的观点和立场。

2.jpg

关于我们

微信扫一扫,加关注

Top