自Wolfpseed在2011年推出业内首款SiCMOSFET以来，过去十年受限于SiC电力电子器件价格、晶圆质量、工艺技术等限制，始终没有被下游大规模广泛使用。当前在技术层面，SiC衬底位错密度下降，SiC功率晶体设计不断迭代，产品性能，可靠性持续提升;主流晶圆尺寸由4英寸向6英寸过渡，领先厂商已经在大力扩产8英寸，主流产品从SiC二极管转变为SiCMOSFET。
成本层面，SiC电力电子器件价格进一步下降，根据CASA、Mouser，从公开报价来看，1200VSiCSBD与同类Si器件的差距约4.5倍。根据CASA调研，1200VSiCSBD实际成交价与Si器件价差已缩小至2-2.5倍之间，已经达到了甜蜜点。若考虑系统成本(周边的散热、基板等)和能耗等因素，SiC产品已经具备一定竞争力，随着产业链技术更加成熟和产能不断扩充，未来在下游新能源汽车、光伏逆变、消费类电子等市场应用有望加速渗透。
新能源汽车高速发展，成为SiC电力电子器件需求快速增长的重要驱动力。SiC功率器件已经历从PFC电源到光伏的应用发展，未来十年新能源汽车、充电设施、轨道交通等将是主要推动力。
根据Yole，到2025年新能源汽车用SiC功率器件市场规模将达到15.5亿美元，2019-2025年
CA-GR38%，充电桩增速更是高达90%。特斯拉Model3和国内比亚迪汉率先在电机控制器中应用SiC模块。对新能源车用SiC需求规模弹性进行测算，预计2025年仅逆变器对SiC需求就有望打造59亿美元-65亿美元市场，车用SiC即将开启黄金十年。
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国内SiC产业链布局如火如荼，凤凰光学近期公告拟通过定增收购国盛电子和普兴电子100%股权。国盛电子及普兴电子是国内领先的硅外延材料供应商，碳化硅外延材料也已具备量产能力。目前SiC产业链中重要的衬底环节，除了三安光电深度布局，天科合达和山东天岳已在全球范围内占据一定份额。
国盛证券
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