台积电日本合资工厂将增加 12/16nm 工艺，投资增至 86 亿美元

2 月 16 日消息，据国外媒体报道，原计划建成之后采用 22/28nm 工艺为相关客户代工晶圆的台积电日本合资工厂，将增加 12/16nm 工艺，工厂的投资也将会有增加。

台积电是周二，在官网宣布日本合资公司工厂将增加 12/16nm 工艺的。工艺增加之后，这一工厂的产能也将会有提升，月产能将由之前的 4.5 万片 12 英寸晶圆，增至 5.5 万片。

新增工艺、增加产能，也就意味着工厂的投资和人员需求将会提升。台积电在官网上表示，合资公司工厂的资本支出，预计接近 86 亿美元，直接创造 1700 个高技术专业岗位。

而在去年 11 月 9 日宣布在日本设立合资公司并建厂时，台积电方面是预计全部资本支出约为 70 亿美元，直接创造 1500 个高技术专业岗位。

同去年 11 月 9 日公布的消息一样，台积电周二在官网公布的消息中，也表示工厂的投资将得到日本方面的强力支持。外媒去年在报道中曾提到，日本将从 2021 财年的补充预算中划拨 6000 亿日元，支持芯片厂商在日本建厂，台积电在日本的合资工厂，预计将获得其中的约 4000 亿日元。

除了宣布增加投资，台积电周二在官网也宣布，电装公司将向他们与索尼在日本的合资公司投资 3.5 亿美元，获得超过 10% 的股份，但台积电仍将持有合资公司的多数股份。

台积电在日本设立合资公司并建设晶圆厂，是在去年的 11 月 9 日正式宣布的，合资公司名为日本先进半导体制造公司，设在熊本县，与索尼半导体解决方案公司合资设立，索尼方面计划投资约 5 亿美元，获得不超过 20% 的股份。