东微半导：高性能功率器件创新者

东微半导(688261)成立于2008年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体公司，主营高压超级结和中低压屏蔽栅MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)，自主创新IGBT(绝缘栅极型功率管)拓宽产品线，产品用于充电桩、5G基站电源、车载OBC等领域，下游客户包括华为、比亚迪、英飞源等。据Omdia数据，2020年公司占全球高压超级结市场的份额为3.8%，占中国高压超级结市场份额约为8.6%，为国内龙头。公司2018-2020年营收CAGR达42%，2021年实现营收同比增长153.28%。

功率半导体下游应用广泛，国产替代空间大。随着国民经济的持续发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，国内市场规模呈现稳健增长态势。其中MOSFET器件在下游的消费电子、通信、工业控制、汽车电子等领域占据了主要的市场份额，下游应用不断拓宽。与此同时，全球MOSFET器件市场基本被海外厂商占据，2019年前十大公司市场占有率达到74.42%，国产替代具有广阔的发展空间。

基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一，是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一，还是国内少数具备器件创新结构能力的公司。公司推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位，技术指标与国际领先厂商相当。中低压MOSFET与国际领先厂商差距较小，与国内厂商相比处于前列。供给侧方面，受益于华虹12英寸功率产能扩充，同时与广州粤芯、DBHitek建立合作，未来晶圆供应有所保障;需求侧方面，随着电动汽车的加速渗透，充电桩建设量稳步增长，同时工业及通信电源领域需求上升，叠加公司MOSFET产品竞争力，预计未来国内市场份额在2020年8.6%的基础上将进一步提升。

公司自创IGBT单管，性能可对标国际厂商，已有OBC等领域订单。公司独创的单管结构TGBT在不提高制造难度的前提下，提升功率密度，性能不输国际厂商同规格产品。2021年上半年IGBT单管创收22.95万元，主要来自储能领域的深圳拓邦股份。至2021年8月，IGBT在手订单合计约219万元，客户有来自车载充电机领域的英搏尔电气、消费电源领域的迪比科电子、光伏领域的新明海科技、储能领域的拓邦股份等，未来营收将持续增长。

创新产品超级硅MOSFET性能对标氮化镓，有望成为第二成长曲线。公司的超级硅MOSFET拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓(GaN)功率模块的效率和功率密度，但生产成本更低仅为同效率氮化镓器件的20%，目前已有18种型号进入量产。

天风证券表示，公司超级结MOSFET受益汽车电动化、高性能充电器等需求快速发展;超级硅MOSFET性能对标氮化镓器件，有望开启第二增长曲线;TGBT、Hybrid-FET等创新型器件持续推动产业化，未来发展可期。预计2021-2023年营收分别为7.81亿元、11.18亿元、15.94亿元，净利润分别为1.43亿元、2.02亿元、3.01亿元。据wind一致性预测，可比公司2022年平均PE估值为76.7倍，给予公司75倍PE估值，对应2022年2.02亿元净利润，市值为151.2亿元，对应目标价224.4元/股，首次覆盖给予买入评级。 记者 刘希玮