消息称长江存储第二座工厂年底投产，追赶三星和美光

据日经新闻报道，知情人士称，我国存储芯片厂商“长江存储”在武汉的第二座工厂最早将于今年年底投产。此举有望进一步缩小长江存储与三星和美光在技术和产量方面的差距。

在经历了突飞猛进的增长后，长江存储急需扩大产能，以在全球半导体市场进一步赢得份额。两名知情人士称，长江存储当前的工厂一直在接近满负荷运转，2021 年底每月生产 10 万片晶圆。

分析师预计，长江存储去年的全球市场份额接近 5%，已成为世界第六大 NAND 闪存制造商，仅次于三星、SK 海力士、Kioxia、西部数据和美光。

当前，长江存储约 40% 的产量是 128 层 3D NAND 闪存，这是迄今为止中国芯片制造商生产的最先进的产品，其余主要为 64 层 3D NAND 闪存。这要落后于三星、SK 海力士和美光等全球领先者。

长江存储新工厂最初将主要生产 128 层闪存，如果 2023 年和 2024 年开发进展顺利，可能会转向更尖端的芯片，如 196 层或 232 层 3D NAND 闪存。

两位知情人士称，自去年以来苹果公司一直在测试长江存储的闪存产品，最快可能在今年首次“限量”下单。事实上，自 2018 年以来，苹果就一直与长江存储谈判，希望找到成本效益高的存储元件。

业内高管表示，赢得苹果的订单将是一已个里程碑，突显了长江存储芯片的质量。一项分析显示，中国大陆（包括香港）成为苹果最大的供应商来源地。

当前，中国正努力实现半导体生产的本地化，打造行业冠军企业。分析人士称，长江存储的成功，也是中国半导体的一次胜利。长江存储对其增长前景充满信心，今年的投资预算将从 2016 年的 240 亿美元增加到 328 亿美元。

知情人士称，长江存储目前正在为新工厂安装设备，这是投产前的关键一步。新工厂的产能最终将达到第一座工厂的两倍。而这两家工厂的总产能将达到每月 30 万片晶圆，有助于长江存储将其全球市场份额扩大到 10% 以上。

其中一位知情人士称，长江存储有两个平行的团队，由数百名顶级工程师组成，负责开发 196 层和 232 层的闪存，其目标是赶上外国竞争对手。

当前，三星、美光和 SK 海力士都成功生产了市场上最先进的产品，即 176 层 3D NAND 闪存芯片。与此同时，他们也在竞相开发 200 多层的芯片。而 Kioxia 和西部数据表示，将在今年年底前制造 162 层 3D NAND 闪存。闪存芯片的层数越多，芯片就越先进，开发和商业化生产就越难。

长江存储的多数闪存主要用于制造消费级固态硬盘（SSD），主要面向中国市场。IT 客户包括领先的存储设备制造商联想、江波龙（Longsys）、金泰克（Kimtigo）和威刚（Adata）。此外，长江存储还推出了自己的品牌致态（ZhiTai），直接面向消费者销售固态硬盘。

调研公司 Counterpoint Research 数据显示，2019 年首次投产 64 层 NAND 闪存时，长江存在在全球闪存市场的份额为 1.3%。此后迅速上升，2021 年达到 4.8%。Counterpoint Research 预计，2023 年可达到约 6%。当前，长江存储拥有约 8000 名员工。