集微网消息，近年来，受芯片供应短缺以及通讯、汽车电子等产业强劲需求的推动，国内晶圆厂纷纷选择扩产，导致设备需求量攀升，国内设备厂商有望迎来更多机遇。
据集微咨询（JW Insights）统计，中国大陆共有 23 座 12 英寸晶圆厂正在投入生产，总计月产能约为 104.2 万片，与总规划月产能 156.5 万片相比，这些晶圆厂的产能装载率仅达到 66.58%，有较大扩产空间。
在产能扩产方面，上海积塔半导体、华虹半导体等企业纷纷加入其中。据澎湃新闻 5 月 5 日报道，日前，上海积塔半导体明确将在上海临港新片区投资二期项目，新增固定资产投资预计超 260 亿。华虹半导体于 5 月 12 日发布公告称，拟募资 180 亿元，其中约 70%（125 亿元）投资于华虹制造无锡项目；约 11%（20 亿元）用于 8 英寸晶圆厂房优化升级项目；约 13%（25 亿元）用于工艺技术创新研发项目；约 6%（10 亿元）用于补充营运资金。
随着上海积塔半导体、华虹半导体等企业产线加速建设，带动了对半导体设备的极大需求。集微网根据招标平台数据整理统计，上海积塔半导体、华虹半导体等企业需求贡献主要增量。今年二季度，上海积塔半导体、华虹半导体、燕东微电子、杭州积海半导体等企业合计招标 1930 台设备。
从设备类型来看，刻蚀、薄膜沉积等核心设备需求较大。其中，光刻设备 4 台，刻蚀设备 49 台，薄膜沉积 74 台，工艺检测 80 台，离子注入 21 台，CMP20 台，热处理 36 台，清洗设备 79 台，涂胶显影 14 台。
从国内招标企业来看，今年二季度，上海积塔半导体共招标 714 台设备，刻蚀设备、薄膜沉积、清洗设备是其重点采购对象；华虹半导体共招标 108 台设备，刻蚀设备、热处理采购数量较多；燕东微电子共招标 89 台；其他企业合计招标 1019 台。
从国内中标的设备厂商来看，集微网根据招标平台数据整理统计，今年二季度，北方华创、中微半导体、芯源微、Tokyo Electron（东京电子）、ASML 等企业合计中标 643 台设备，其中，国产设备厂商合计中标 387 台设备。
北方华创共中标 80 台设备，中微半导体共中标 22 台设备，芯源微共中标 24 台，屹唐半导体共中标 12 台，拓荆科技共中标 11 台，中科飞测共中标 7 台，上海微电子共中标 6 台，华海清科共中标 8 台；从国外设备厂商来看，ASML 共中标 7 台设备，泛林半导体共中标 16 台设备，KLA 共中标 18 台设备，应用材料共中标 21 台设备，东京电子共中标 87 台设备。
设备国产替代正当其时，从主要环节来看，国产光刻、刻蚀、薄膜沉积等多点开花，都有不同层面的突破。
在光刻环节，ASML 中标 5 台光刻机，占据行业主导地位；上海微电子中标 1 台步进式光刻机。据了解，上海微电子 SSX600 系列步进扫描投影光刻机可满足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 关键层和非关键层的光刻工艺需求。此外，今年 2 月，上海微电子成功交付首台 2.5D3D 先进封装光刻机，这对国内集成电路行业有着很大的意义。
在刻蚀环节，北方华创和中微半导体合计中标 38 台刻蚀设备，超过泛林半导体与东京电子的总和 19 台。北方华创中标 16 台刻蚀设备，分别为上海积塔 13 台、株洲中车时代 1 台、北京大学 1 台、上海新微半导体 1 台。北方华创 ICP（电感耦合等离子体）刻蚀技术优势明显，其自主研发的 14 纳米等离子硅刻蚀机已成功进入主流项目产线。
中微半导体中标 22 台刻蚀设备，分别为华虹半导体 13 台、上海积塔 8 台、株洲中车时代 1 台。中微半导体 CCP（容性耦合等离子体）刻蚀技术精良，已覆盖 65 纳米至 5 纳米，在 5 纳米以下也进展顺利，其 2021 年总共生产交付了 298 腔 CCP 刻蚀设备，产量同比增长 40%。
在薄膜沉积环节，拓荆科技中标 11 台薄膜沉积设备，略低于泛林半导体与应用材料的总和 15 台。拓荆科技主要产品系列为等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备，广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造产线，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。
目前，国内晶圆厂正进入加速建设期，国产设备厂商渗透率虽有所不足，但已开始奋起直追，光刻、刻蚀、薄膜沉积、涂胶显影等多环节突破，北方华创、中微半导体、拓荆科技等设备厂商订单激增，进步明显。
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