清溢光电由著名香港爱国实业家唐翔千先生于1997年8月创办。唐翔千先生在花甲之年与时俱进，投身中国电子行业，他坚持实业报国、实行造就优质产品和人才的理念，推动中国掩膜版行业的进步和发展。目前，公司在实际控制人唐英年先生及唐英敏女士带领下，坚持高质量发展，不断提升技术能力，突破工艺难点，以加快掩膜版国产化替代的进程。2022年，清溢光电平板显示掩膜版全球市占率第五，国内市占率保持第一。
清溢光电作为国内掩膜版行业的开拓者，在行业标准制定、国产化及产业链完善等方面发挥了重要作用，获得了权威机构的认可和多项荣誉。2018年3月，荣获中国电子材料行业协会、中国光学电子行业协会液晶分会联合授予的“中国新型显示产业链特殊贡献奖”;2019年7月，清溢光电自主研发并产业化的5.5代AMOLED用掩膜版在 UDE2019国际显示博览会上荣获“迪斯普大奖——显示产业链贡献”奖项;2022年6月，获评深圳市“专精特新”中小企业称号;2022年8月，被认定为国家级专精特新“小巨人”企业;2023年1月，被评为“深圳市制造业单项冠军示范企业”。
聚焦平板显示及半导体掩膜版产业，加快国产化替代
清溢光电主要从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务，是国内成立较早、规模领先的掩膜版生产企业之一，深耕掩膜版行业近二十六载。清溢光电是国家高新技术企业，以现有研发中心为依托，在已成立的深圳市光掩膜研发中心基础上成立“广东省光掩膜工程技术研究开发中心”，公司拥有从设计、工艺到产品整套流程的技术开发实力，是《薄膜晶体管(TFT)用掩模版规范》行业标准起草单位;是目前全球为数不多的同时具备平板显示掩膜版及半导体掩膜版的研发、设计及生产能力的企业之一。清溢光电打造了一只由核心人员领衔的研发团队，截至2023年9月30日，公司共拥有56项核心工艺技术，公司累计获授境内外专利88项，其中，发明专利30项，实用新型专利58项。
二十六年来，清溢光电不断追求卓越，从1998年推出第一张大面积高精度铬版掩膜版，到TN、STN、CSTN、TFT-LCD和AMOLED等平板显示掩膜版的技术不断升级并量产，清溢光电填补了国内掩膜版领域的一个又一个空白。2008年，清溢光电自主设计的TFT-MASK工厂竣工投产，标志着清溢光电正式进入到了大尺寸TFT-LCD上游关键零组件领域，不仅改写国内TFT-LCD行业掩膜版100%依赖进口的历史，这也标志着中国大陆在TFT-LCD上游配套产业方面又取得了重大突破，对于促进我国TFT-LCD产业的发展、提升产业链竞争力具有重要的战略意义。2016年，清溢光电成功研制AMOLED用高精度掩膜版，成为全球具备AMOLED用高精度掩膜版生产能力的厂家之一，打破了国内AMOLED用高精度掩膜版完全依赖国外进口的局面，并正式给多家国内面板企业供货。清溢光电也与国内外大型平板显示企业建立了稳健的合作关系，在全球掩膜版行业具有较高的知名度，平板显示掩膜版服务的典型客户包括京东方、维信诺、惠科、天马、华星光电、信利、龙腾光电、群创光电、瀚宇彩晶等。2022年，清溢光电全资子公司合肥清溢光电有限公司承担完成了国家基础产业再造和制造业高质量发展专项——8.5代及以下高精度掩膜版项目，推动 AMOLED/LTPS用高精度掩膜版工艺技术能力和产能提升，实现全面量产。根据Omdia统计，2020年，平板显示掩膜版国产化率仅为11%;2022年，平板显示掩膜版市场的国产化率上升至24%，两年内国产化率提升明显，但是在AMOLED/LTPS等应用领域，国产化率仍较低，2022年，AMOLED/LTPS等高精度掩膜版的国产化率仍只有9%，国产替代的空间巨大。
半导体芯片掩膜版作为晶圆制造的核心材料，由于技术壁垒高，工艺难度大，国内生产厂商的技术水平及产业化能力与美国、日本等国际先进厂商相比存在较大差距，中高端半导体掩膜版产品主要依赖进口。我国半导体芯片产业链起步晚，高精度半导体芯片供应链的某些环节被 “卡脖子”，使得中高端半导体芯片产业陷入被动状态。国内半导体市场对掩膜版的需求较大，公司产品在国内中高端掩膜版市场的占有率，明显低于国际竞争对手。特别是在当前国际环境下，提升半导体产业的国产化率迫在眉睫。只有把关键核心技术掌握在自己手中，才能从根本上保障国家经济安全、国防安全，因此，国内企业需要提升高端半导体掩膜版的生产工艺技术水平，加快国产化进程，实现高端半导体掩膜版的自主可控，以实现国家芯片产业自立自强。2005年，清溢光电成功研制国内第一张激光束光刻直写Reticel掩膜版(IC用掩膜版)，清溢光电半导体掩膜版业务紧跟国内半导体发展路线，不断进行技术攻关和产品开发，半导体掩膜版产品节点从1μm逐步提升至150nm，产品广泛应用于功率半导体(含第三代半导体)、MEMS传感器、滤波器件、射频器件、模拟IC、晶圆级先进封装、3D封装等领域。清溢光电半导体掩膜版服务的典型客户包括中芯集成、三安光电、艾克尔、士兰微、泰科天润、积塔半导体、华微电子、赛微电子和长电科技等。
掩膜版高精度趋势明显，搭建安全可控的供应链体系
平板显示行业长期发展呈现像素高精度化、尺寸大型化、竞争白热化、转移加速化、产品定制化等特点，受益于电视平均尺寸增加，大屏手机、车载显示和公共显示等需求的拉动，平板显示下游应用领域决定了不同显示产品的分辨率、尺寸等主要技术指标存在差异，对掩膜版也存在高、中、低三种不同精度要求。高精度掩膜版是生产 AMOLED/LTPS及高分辨率 TFT-LCD显示屏的关键要素，其对平板显示掩膜版的半导体层、光刻分辨率、最小过孔、CD均匀性、精度、缺陷大小、洁净度均提出了更高的技术要求。近年来，微型发光二极管MicroLED，因其发光效率高和显示效果好而被认为是具有潜力的下一代显示技术，MicroLED产业的发展进入了全面的发展期，LED产业链企业、面板企业、终端品牌、高校研究院都积极参与到MicroLED的技术研发、产能扩充等各类MicroLED相关项目。根据Omdia2022年报告，三星电视MicroLED电视供应链中部分MicroLED产品背板采用LTPSTFT技术，需要17片到24片平板显示掩膜版。YOLE2023年报告，未来MicroLED电视、智能手表和智能眼镜等终端应用的需求将带动MicroLED显示版面的发展。
随着下游行业的产品和技术更新升级，掩膜版行业涌现出诸多新技术，用以支持更高端产品的生产，例如AMOLED/LTPS等掩膜版生产技术、FMM掩膜版生产技术、MicroLED/MiniLED芯片技术、MicroLED、3D厚胶生产技术、4K/8K高分辨率显示屏掩膜版生产技术以及平板显示用半透膜(HTM)、PSM等先进的掩膜版工艺技术。
在半导体芯片行业，6英寸半导体成熟制造工艺主要为800nm、500nm、350nm和250nm等节点工艺，8英寸半导体成熟制造工艺主要为500nm、350nm、250nm、180nm、130nm和110nm等节点工艺，12英寸半导体目前境内主流制造工艺为150nm、110nm、90nm、65nm、45nm、28nm和14nm等节点工艺。国内厂商已提供14nm、N+1、N+2代节点工艺的半导体芯片，台积电已量产3nm节点工艺的半导体芯片，未来半导体芯片的制造工艺将向进一步精细化工艺发展，这对与之配套的半导体芯片及封装掩膜版提出了更高要求，对线缝精度的要求越来越高，掩膜版厂商也对应采取例如光学邻近校正(OPC)、相移掩膜(PSM)、纳米压印等技术来满足精细化工艺发展的要求。
清溢光电大力支持上游材料国产化，通过投资等方式推动上游产业链的国产化进程。上游材料产业链主要包括以下几个环节：一、石英玻璃的生产制造环节;二、研磨抛光环节;三、真空镀膜环节;四、涂胶环节。国内厂商陆续加大对上游产业链的投资，但研磨等方面的技术能力等尚需逐步积累。清溢光电目前已经具备涂胶能力。
光刻机是生产掩膜版的核心设备。目前，清溢光电平板显示掩膜版业务通过光刻机进行激光光束直写完成掩膜版的制作，下游客户再利用掩膜版进行批量生产，先进光刻机的运用对掩膜版的生产能力和生产效率具有明显的提升，主要体现在：先进光刻机技术配置更高，可以生产更高精度的产品，同时其光刻速度更快，制作同样型号掩膜版的耗时更短。公司未来将计划引进更先进的Mycronic瑞典平板显示掩膜版光刻机。半导体掩膜版业务方面，清溢光电目前已拥有业内先进的激光光刻机，CD精度可达到130nm掩膜版的要求。佛山生产基地项目拟引入的光刻设备将不限于激光光刻机，也将适时考虑引入电子束光刻机。
建立和完善可持续发展的掩膜版研发模式
清溢光电坚持“量产一代，研发一代，规划一代”的研发方式，逐步向新技术发展，提高公司的技术能力及市场竞争力。
在平板显示掩膜版技术方面，2023年，清溢光电已实现8.6代高精度TFT掩膜版及6代中高精度AMOLED/LTPS掩膜版的量产，实现了掩膜基板涂胶工艺的量产及8代 TFT-LCDHalftoneMask产品成功量产，并通过了品牌客户的验证及实绩交付。HTMMask(半色调掩膜版)是公司的战略性产品，通过前期多年的技术积累以及合肥新工厂的新品研发制作，这对清溢光电完善全产品供应体系，为客户解决交付痛点，打破此类产品长期依赖进口的局面，有着重大的意义。同时，清溢光电开发出了具有国际先进水平6代AMOLED高精度掩膜版，该掩膜版尺寸为980*1150mm，最小线宽尺寸为1.5μm，大约相当于一根头发丝直径的五十分之一宽度，线宽精度0.08μm，位置精度0.2μm，缺陷精度0.5μm。目前，清溢光电正在进行6代超高精度AMOLED/LTPS掩膜版及相位移掩膜版(PSM)的研发和高规格半透膜掩膜版(HTM)规划开发。
半导体芯片掩膜版技术方面，清溢光电已实现150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证及量产，完成了130nm工艺节点的开发，目前正在进行PSM和OPC的工艺开发及90nm—28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。
坚持“平板显示掩膜版+半导体芯片掩膜版”互促共进的“双翼”战略
平板显示行业和半导体产业是电子信息产业的基础，对于我国的经济建设、国防建设、军事安全和信息安全具有举足轻重的地位。我国平板显示行业和半导体产业正处于快速发展期，具有广阔的市场空间。在国家产业政策大力支持、国内平板显示行业和半导体需求受下游驱动愈发旺盛等因素推动下，我国平板显示行业和半导体芯片制造能力不断实现突破，制造厂商的工艺水平不断进步，高精度掩膜版需求正快速增加。
公司坚持 “平板显示掩膜版+半导体芯片掩膜版”互促共进的“双翼”战略，通过掩膜版的高质量发展，致力成为中国一流、全球领先的掩膜版供应商。
清溢光电紧紧抓住平板显示和半导体芯片掩膜版国产替代、自主可控等历史性机遇，发挥清溢光电技术、管理、服务和成本等方面的优势。在双翼战略的引领下，清溢光电将坚决贯彻落实高质量发展的要求，立足中国面向全球，通过两座新型智能化掩膜版生产基地的投建，力争成为全球范围内掩膜版行业中产能规模较大、市场占有率较高、营业收入与利润增长较快的行业领先者。
为进一步提升公司的核心竞争力，2023年12月15日，公司与广东省佛山市南海区人民政府签署合作协议，拟投资35亿元建设清溢光电佛山生产基地项目。其中，“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”主要产品为平板显示掩膜版，系平板显示产业链上游核心材料之一。项目计划总投资80001.42万元人民币，主要生产8.6代及以下高精度掩膜版，应用于a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO、MicroLED等平板显示掩膜版产品。项目建成投产后，将提高公司平板显示掩膜版产能，提升高精度平板显示掩膜版国产化程度及配套水平，填补国内产业空白。
“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”主要产品覆盖250nm—65nm制程的高端半导体掩膜版。本项目计划总投资60464.56万元人民币，可提高公司半导体掩膜版产品的技术能力和产能，优化半导体掩膜版的产品结构，可逐步实现130nm、65nm以及更高节点的高端半导体掩膜版的量产与国产化配套，满足客户需求的不断变化，提升清溢光电在半导体掩膜版行业的国产化率。
公司总经理吴克强表示：“清溢光电坚持‘技术创新驱动’战略，通过持续拓展半导体芯片的先进工艺研发能力和先进产品的竞争力，提升半导体芯片掩膜版的国产化率，实现关键技术的自主可控。未来，清溢光电将以市场、行业发展趋势和国家的产业政策为导向，紧跟掩膜版行业的发展方向，结合公司的发展战略，继续加大在新技术、新产品等方面的研发投入，同时加速研发成果的市场化进程，不断提高公司研发人员的技术水平和创新能力，增强公司的核心竞争力。” 凌飞
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