感谢IT之家网友 乌蝇哥的左手、我抢了台、软媒新友2xrpri 的线索投递!
IT之家 5 月 24 日消息,据路透社报道,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达测试。三名知情人士表示,该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。
报道称,这些问题影响到了三星的 HBM3 芯片,该芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 标准。问题还影响了第五代 HBM3E 芯片。
三星在一份声明中表示,HBM 是一款定制内存产品,需要“根据客户需求进行优化流程”,并补充说,该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。它拒绝对特定客户发表评论。IT之家注意到,英伟达拒绝置评。
三位消息人士称,自去年以来,三星一直在努力通过英伟达对 HBM3 和 HBM3E 的测试。据两位知情人士透露,三星 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的失败测试结果于 4 月份公布。
目前尚不清楚这些问题是否可以很快解决,但三位消息人士表示,未能满足英伟达的要求增加了业界和投资者的担忧,即三星可能会进一步落后于竞争对手 SK 海力士和美光。
广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。