消息称三星 HBM 内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

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2024
05/24
10:30
亚设网
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IT之家 5 月 24 日消息,据路透社报道,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达测试。三名知情人士表示,该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。

报道称,这些问题影响到了三星的 HBM3 芯片,该芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 标准。问题还影响了第五代 HBM3E 芯片。

三星在一份声明中表示,HBM 是一款定制内存产品,需要“根据客户需求进行优化流程”,并补充说,该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。它拒绝对特定客户发表评论。IT之家注意到,英伟达拒绝置评。

三位消息人士称,自去年以来,三星一直在努力通过英伟达对 HBM3 和 HBM3E 的测试。据两位知情人士透露,三星 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的失败测试结果于 4 月份公布。

目前尚不清楚这些问题是否可以很快解决,但三位消息人士表示,未能满足英伟达的要求增加了业界和投资者的担忧,即三星可能会进一步落后于竞争对手 SK 海力士和美光。

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