Intel 10nm 60核心下代至强开盖:四大一小整合封装

快报
2021
02/06
10:33
亚设网
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Intel预计会在今年底发布代号Sapphire Rapids的第四代可扩展至强,拥有全新的10nm工艺、CPU架构、DDR5/PCIe 5.0原生支持等等,面貌焕然一新。

稍早些时候,我们看过了网友曝光的Sapphire Rapids实物照片,面积庞大,更换新的LGA4677-X封装接口。

现在,该网友又对这颗Sapphire Rapids样品进行了开盖,去掉了顶部的散热顶盖,直接露出了内部封装设计:

Intel 10nm 60核心下代至强开盖:四大一小整合封装

Intel 10nm 60核心下代至强开盖:四大一小整合封装

可以看到,Sapphire Rapids CPU部分由四个小心模块整合组成,彼此紧密靠在一起,异常庞大,应该是应用的2.5D封装技术,也就是俗称的“胶水大法”。

当然,随着半导体工艺的不断演进、芯片规模的不断扩大,多重封装、小芯片策略是必然之路,AMD的霄龙系列也是如此,只是在封装技术上多种多样而已。

另外,Sapphire Rapids CPU核心一侧还有一颗独立的小芯片(Die),也就是内置的HBM高带宽内存,容量最大为64GB。

Intel 10nm 60核心下代至强开盖:四大一小整合封装

目前已知的是,Sapphire Rapids产品最多提供56个核心(112线程),每个小芯片模块最多14个核心,但实际上这是阉割版,满血版每个小核心15核心,总计60核心,只不过因为10nm良率问题,每个小芯片屏蔽了一个核心。

事实上,Sapphire Rapids上使用的10nm工艺,已经是多次增强后的10nm Enhanced SuperFin,可以视为10nm+++,但依然无法尽如人意。

Intel 10nm 60核心下代至强开盖:四大一小整合封装

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#Intel#CPU处理器#10nm#至强#Sapphire Rapids

(王治强 HF013)

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