华虹半导体宣布量产90nm BCD工艺：性能高、核心面积小

国产半导体厂商正在一步步追赶国际先进水平，日前华虹半导体宣布，该公司推出的90nm BCD工艺已经在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产。

华虹指出，90nm BCD工艺具备性能高、核心面积较小等优势，拥有更佳的电性参数，并且得益于12英寸制程的稳定性，良率优异，为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案。

90nm BCD工艺还是先进工艺？对不了解半导体工艺的人来说可能真有这个疑问，这个新工艺的重点是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS，是ST意法半导体在80年代发明的功率芯片技术。

BCD是一种复杂的硅芯片制造工艺，每种BCD工艺都具备在同一颗芯片上成功整合三种不同制造技术的优点，包括用于高精度处理模拟信号的双极晶体管，用于设计数字控制电路的CMOS（互补金属氧化物半导体）和用于开发电源和高压开关器件的DMOS（双扩散金属氧化物半导体）。

ST意法目前依然是全球领先的BCD工艺制造商，35年来生产了500万片晶圆，售出400亿颗芯片，仅2020年就售出近30亿颗芯片，工艺发展了十代了，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量产的十代工艺也是90nm BCD。

从这一点上来看，华虹的90nm BCD工艺确实是该领域的先进工艺，技术优势明显，而中芯国际等国内其他代工厂也在开发90nm BCD工艺，华虹的进度也是领先的。

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（李显杰 ）