1γ节点开始导入 美光确认EUV工艺DRAM内存芯片2024年量产

快报
2021
08/20
18:33
亚设网
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CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后,EUV光刻工艺是少不了的,现在内存还停留在10nm工艺级别,暂时没用到EUV工艺。不过三星、SK海力士及美光也确定未来会用,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认,美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图,将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。

美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产,预计2024年进入量产阶段。

注意,这个是1γ工艺,不是之前的1y工艺,10nm级别的内存工艺中前三代是1x、1y、1z,再往后是1a、1β、1γ等。

在美光之前,三星及SK海力士都更早进入了EUV节点,从去年底就开始部署EUV光刻工艺了,而且比美光更激进,最快在1a工艺节点就会量产EUV内存芯片。

1γ节点开始导入 美光确认EUV工艺DRAM内存芯片2024年量产

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#内存#极紫外光刻#DRAM

(李佳佳 HN153)

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