AMD Zen3 3D堆叠缓存细节：比Intel更细致、互连带宽提升15倍

先进制程工艺的推进越来越困难，成本也越来越高，半导体巨头们纷纷把目光投降了各种封装技术。

Hot Chips 33大会上，AMD就第一次公开了3D V-Cache堆叠缓存的部分技术细节。

AMD此前六月初在台北电脑展上首次披露了这一技术，利用一颗锐龙9 5900X 12核心处理器，每个CCD计算芯片上堆叠64MB SRAM作为额外的三级缓存，加上原本就有的64MB，合计达192MB，游戏性能因此可平均提升15％，堪比代际跨越。

这一次，AMD首先罗列了各家的各种封装技术，包括Intel、台积电、苹果、三星、索尼等等，并强调之所以有如此丰富的封装技术，是因为没有一个方案能够满足所有产品需求，必须根据产品属性来定制。

AMD使用的技术叫做“3D Chiplet”(立体芯片)，是在微凸点3D(Micro Bump 3D)技术的基础上，结合硅通孔(TSV)，应用了混合键合(Hybrid Bonding)的理念，最终使得微凸点之间的距离只有区区9微米，相比于Intel未来的Foveros Direct封转技术还缩短了1微米，结构更加细致。

AMD声称，3D Chiplet技术可将互连功耗降低至原来的1/3，换言之能效提升3倍，互联密度则猛增15倍。

总之，AMD 3D堆叠缓存并没有使用全新独创的复杂封装工艺，主要是基于现有技术，针对性地加以改进、融合，更适合自身产品，从而以最小的代价，获得明显的性能提升，不失为一种高性价比策略。

按照之前的说法，搭载3D V-Cache缓存的锐龙处理器将在今年底量产，可能就是锐龙6000系列，而基于全新Zen4架构的下一代产品，要到明年下半年了。

堆叠额外缓存的锐龙

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（王治强 HF013）