安森美半导体推出全碳化硅MOSFET模块解决方案 用于电动汽车充电

盖世汽车讯 6月7日，推动节能创新的安森美半导体（ON Semiconductor）宣布推出一对1200 V全碳化硅（SiC）MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其产品系列，从而适应充满挑战的电动汽车（EV）市场。

随着电动汽车销量持续增长，基础设施需要不断完善以满足驾驶员需求，如提供快速充电站网络，从而使汽车可以快速完成行程，且不会有“里程焦虑”。随着这种需求不断发展，对于充电功率超过350 kW，效率超过95%的要求也成为“常态”。由于部署充电桩的环境和地点多样，设计人员面临着多种挑战，包括紧凑型、稳健性和增强的可靠性。

（图片来源：安森美半导体）

全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面技术打造，适用的驱动电压为18-20 V，且易于使用栅极负电压进行驱动。与沟槽型MOSFET相比，较大的裸芯片可降低热阻，从而在相同工作温度下降低裸芯片温度。

NXH010P120MNF1配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，非常适合工业应用，此外还采用嵌入式负温度系数（NTC）热敏电阻，有助于温度监控。

作为安森美半导体电动汽车充电生态系统的一部分，全新碳化硅MOSFET模块旨在与驱动器解决方案（如NCD5700x器件）一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV的电流隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。由于典型传播延迟为60ns，该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流为4.0 A/灌电流为6.0 A）适合高速工作。

安森美半导体的碳化硅MOSFET与全新模块和栅极驱动器形成互补。与类似的硅器件相比，该碳化硅MOSFE可提供卓越的开关性能和增强的散热性能，从而以提高效率和功率密度、改善电磁干扰（EMI）、并减小系统尺寸和减少重量。

最近发布的650 V碳化硅MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可为（RDS(on)*area）提供一流的品质因数（FoM）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等系列器件可为D2PAK7L / TO247封装的MOSFET提供市场上最低的RDS(on)。

1200 V和900 V N通道碳化硅MOSFET芯片尺寸较小，可降低器件电容和栅极电荷（Qg –低至220 nC），从而降低电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。

（李佳佳 HN153）