12月22日，据意法半导体官微消息，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
据介绍，意法半导体的碳化硅具有更高的开关频率、击穿电压和热阻，可以显著提高功率晶体管的性能和能效，这些特性在纯电车的高电压环境中非常重要。理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200VSiCMOSFET技术。
在今年6月举行的理想汽车召开理想家庭科技日发布会上，理想汽车发布了800V高压平台5C电池，充电峰值功率超过500kw，9分30秒续航400公里，充电22分钟续航600公里；5C快充采用低内阻电芯，产热降低30％。
理想汽车还宣布，2023年底前完成建设300+个超级充电站，2025年完成建设3000+个超充站。2025年，超充站点之间平均间隔100公里，单个站点每小时可以服务9-20辆车。
（责任编辑：蒲莎莎 ）
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